RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
26
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3626
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link