RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
81
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
81
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1651
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link