RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
81
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
81
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
1651
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link