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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
66
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2429
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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