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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2314
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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