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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
51
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3419
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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