RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3417
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link