RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3417
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link