RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
51
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3419
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link