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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1617
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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