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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 47
    En -57% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    47 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2061 left arrow 1254

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Memoria RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
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Memoria RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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