RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
3435
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link