RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3435
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link