RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1822
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link