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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
104
En -447% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3310
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
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