RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3310
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link