RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3310
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link