RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1843
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link