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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Compara
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
74
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,973.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
74
Velocidad de lectura, GB/s
4,967.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,973.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
1714
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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