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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,973.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,967.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,973.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
3568
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
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