RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Compara
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
54
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,973.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,967.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,973.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
3224
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link