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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Compara
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
53
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,034.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,295.1
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,034.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
650
2356
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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