RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
53
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
2,034.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
53
读取速度,GB/s
4,295.1
10.3
写入速度,GB/s
2,034.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2356
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB RAM的比较
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link