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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
37
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
37
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2885
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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