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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3038
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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