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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3146
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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