RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link