RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
44
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link