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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
46
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
2396
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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