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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2782
3113
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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