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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
17.4
写入速度,GB/s
10.3
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3113
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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