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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
2382
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
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