RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
83
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
83
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
1774
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link