RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Compara
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
21.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
17.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3931
3384
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link