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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2882
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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