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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
8.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2882
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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