RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
86
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
86
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
1658
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link