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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
39
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
2648
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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