RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3895
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link