RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
45
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
1499
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link