RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
45
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
6.9
Скорость записи, Гб/сек
8.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
1499
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link