RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
3091
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link