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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Compara
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
17.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
17.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3692
3221
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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