RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparez
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Note globale
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
15.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3692
3221
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link