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Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Puntuación global
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1437
3672
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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