RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3170
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link