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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2981
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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