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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3683
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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