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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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更快的读取速度,GB/s
15.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
15.0
15.3
写入速度,GB/s
10.1
11.9
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2981
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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