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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2657
2981
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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