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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
38
En -90% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
3395
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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